Transphorm发布业界首款1200 V GaN-on-Sapphire器件仿真模型

盖世汽车讯 据外媒报道，半导体公司Transphorm宣布推出其1200 V FET仿真模型和初步数据表：TP120H070WS FET，这也是是迄今为止推出的唯一一款1200 V GaN-on-Sapphire功率半导体。

图片来源：Transphorm

此次发布表明Transphorm有能力支持未来的汽车电源系统，以及通常用于广泛的工业、数据通信和可再生能源市场的三相电源系统。这些应用将受益于1200 V GaN器件更高的功率密度和可靠性，以及更好的性能（与替代技术相比）。