在汽车领域，碳化硅（SiC）正迎来高光时刻。 据了解，目前特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等众多车企旗下车型均已用上碳化硅，且按照规划，应用仍将持续扩大。 在此背后，诸多上游厂商加速产品升级、产能扩张，这其中，就包括罗姆。作为碳化硅领域的重要玩家，罗姆在其日前举办的媒体交流会上透露了一系列相关进展、规划以及预期。其中关键信息，盖世汽车汇总如下： “2023年实现8英寸衬底量产” 扩大SiC衬底尺寸既能增加产能供给，又能进一步降低SiC器件的平均成本。基于此，当下全球正积极布局8英寸市场。从目前来看，头部厂商量产节点集中在2023年。 据罗姆半导体（上海）有限公司技术中心副总经理周劲透露，罗姆也将在2023年实现8英寸衬底的量产。 资料显示，罗姆从2000年开始研发碳化硅产品，2010年后全球首家进行碳化硅SBD和MOSFET的量产，之后在2021年发布了第4代SiC MOSFET。 据周劲介绍，罗姆第4代SiC MOSFET通过业内先进的低导通电阻技术，根据元件的设计、沟槽的结构强化等，导通电阻（RonA）相较于原来的第3代能够下降40%，“今后的计划是在2025年、2028年分别再降30%，推出第5代、第6代产品。”
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